新型的化學增幅型負像 SU- 8 膠是一種負性、環氧樹脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導致的深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結構。SU- 8 光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩定性。SU- 8 在受到紫外輻射后發生交聯，是一種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結構復雜的圖形；且 SU- 8 膠不導電，在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。由于具有較多優點，SU- 8 膠正被逐漸應用于 MEMS、芯片封裝和微加工等領域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結構與微零件已經成為微加工領域的一項新技術。
光刻前清洗工藝
為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要對基材進行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后用去離子水清洗并用氮氣吹干。除此之外還可以利用反應離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。
光刻工藝
將 SU- 8 光刻膠組分旋涂在基材上，旋涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片經過前烘并冷卻至室溫。在烘干過程中，優先選擇加熱均勻且溫度控制精確的加熱板；不能使用鼓風干燥箱，防止因為光刻膠表面優先固化從而阻止內層光刻膠溶劑的揮發。冷卻后，將負光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝?條件下進行曝光。曝光結束后，選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮氣吹干。
優點
1、SU-8光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形；
2、SU-8光刻膠具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩定性；
3、SU-8在受到紫外輻射后發生交聯，是一種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結構復雜的圖形；
4、SU-8膠不導電，在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。
由于具有較多優點，SU-8 膠正被逐漸應用于 MEMS、芯片封裝和微加工等領域。目前，直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結構與微零件已經成為微加工領域的一項新技術。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。
一般儲存溫度
4-21℃
產品參數
勻膠厚度：13-38μm
